Ｆ１９８／Ｆ２９８／Ｆ３９８采样保持电路
概述：
该电路与国外ＬＦ１９８／ＬＦ２９８／ＬＦ３９８完全一致，可以互换使用。电路采用Ｂｉ－ＦＥＴ技术，具有输入阻抗高，采样速率快，下降速率低等一系列优良的交直流性能，被广泛应用于高精度采样保持电路中。
特点：
·电源电压±５Ｖ到±１８Ｖ ·兼容ＴＴＬ、ＰＭＯＳ、ＣＭＯＳ逻辑输入
·采样电容为０．０１μＦ时，保持阶跃典型值为０．５ｍＶ
封装外形图
（管脚朝下）
采样－保持电路
Ｆ１９８／Ｆ２９８／Ｆ３９８采样保持电路
概述：
该电路与国外ＬＦ１９８／ＬＦ２９８／ＬＦ３９８完全一致，可以互换使用。电路采用Ｂｉ－ＦＥＴ技术，具有输入阻抗高，采样速率快，下降速率低等一系列优良的交直流性能，被广泛应用于高精度采样保持电路中。
特点：
·电源电压±５Ｖ到±１８Ｖ ·兼容ＴＴＬ、ＰＭＯＳ、ＣＭＯＳ逻辑输入
·采样电容为０．０１μＦ时，保持阶跃典型值为０．５ｍＶ
封装外形图
（管脚朝下）
采样－保持电路